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财联社消息，上交所官网12月30日晚间显示，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）申报科创板IPO获交易所受理。

长鑫科技申报科创板上市拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目建设，合计总投资规模达345亿元。

值得关注的是，长鑫科技是今年7月科创板市场改革新政后，首家采用IPO预先审阅机制申报上市的公司。该制度旨在避免特定情形的科技型企业，因过早披露业务技术信息、上市计划而可能对其生产经营带来重大不利影响。

《科创板日报》记者注意到，在12月30日长鑫科技申报获受理同日，上交所网站同步披露两轮审核问询回复。

综合两轮交易所问询来看，长鑫科技控制权、盈利持续性、与兆易创新关联交易、研发支出资本化等问题是监管关注的核心焦点。

长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。

根据Omdia数据显示，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

招股书显示，长鑫科技提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多元化产品方案，长鑫科技的产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。

招股书披露，长鑫科技2025年1-9月营收320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元。其中，2022年至2024年主营业务收入复合增长率达72.04%。

盈利情况方面，2024年长鑫科技尚且净亏损90亿元，但2025年火热的存储芯片行情将有望帮助长鑫科技在2025年度实现扭亏。

据招股书显示的全年业绩预计情况，2025年该公司预计实现净利润20亿元至35亿元，归母净利润为-16亿元至-6亿元，归母扣非净利润为28亿元至30亿元。

长鑫科技表示，2025年，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，以及2025年下半年以来DRAM产品价格的快速上涨，公司预计实现营业收入较上年同期大幅增加，净利润实现转正，归属于母公司所有者的净利润亏损金额较上年同比大幅收窄。

在上市报告期各期，长鑫科技主营业务毛利率分别为-3.67%、-2.19%、5.00%和12.72%，呈现明显改善。

该公司表示，报告期内，一方面，受公司持续进行大额固定资产及研发投入带来的折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现等因素影响，公司产品生产成本较高，另一方面，公司工艺技术水平等与三星电子、SK海力士及美光科技相比仍有一定差距，产品结构处于持续优化状态，公司毛利率水平与国际前三家厂商相比仍较低。

招股书显示，2025年7-9月，在DRAM产品市场价格上涨、长鑫科技产销规模持续提升等因素的带动下，该公司营业收入较2024年7-9月同比大幅增长148.80%，综合毛利率上升至35.00%。

招股书显示，截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中3116项境内专利及2473项境外专利。根据美国权威专利服务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。

长鑫科技无控股股东、无实际控制人，清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投分别持有该公司21.67%、11.71%、8.73%、8.37%及7.91%的股权。

此外，在招股书所披露的长鑫科技股权架构中，安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。